IPD031N06L3GATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD031N06L3GATMA1 von Infineon und IPD90N03S4L02ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD031N06L3GATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,58
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V [DATA_NEEDED: typical value]
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS-T2
MSL-Level 1 (Unlimited) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
RoHS-Status Compliant Compliant (Green Package)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
RDS(on) Max at VGS=10 V — 2.2 mΩ
RDS(on) Max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V]
Gate Drive Voltage (VGS) — 4.5 V to 10 V
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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