IPD031N06L3GATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD031N06L3GATMA1 por Infineon y IPD90N03S4L02ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD031N06L3GATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,58
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V [DATA_NEEDED: typical value]
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS-T2
Nivel MSL 1 (Unlimited) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
Estado RoHS Compliant Compliant (Green Package)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
RDS(on) Max at VGS=10 V — 2.2 mΩ
RDS(on) Max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V]
Gate Drive Voltage (VGS) — 4.5 V to 10 V
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +175°C
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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