IPD031N06L3GATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD031N06L3GATMA1 par Infineon et IPD90N03S4L02ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD031N06L3GATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,58
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V [DATA_NEEDED: typical value]
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS-T2
Niveau MSL 1 (Unlimited) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
Statut RoHS Compliant Compliant (Green Package)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
RDS(on) Max at VGS=10 V — 2.2 mΩ
RDS(on) Max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V]
Gate Drive Voltage (VGS) — 4.5 V to 10 V
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +175°C
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fiches techniques et ressources

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