IPD031N06L3GATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD031N06L3GATMA1 por Infineon e IPD90N03S4L02ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD031N06L3GATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,58
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V [DATA_NEEDED: typical value]
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS-T2
Nível MSL 1 (Unlimited) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
Status RoHS Compliant Compliant (Green Package)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
RDS(on) Max at VGS=10 V — 2.2 mΩ
RDS(on) Max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V]
Gate Drive Voltage (VGS) — 4.5 V to 10 V
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fichas técnicas e recursos

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