IPD090N03LGATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD090N03LGATMA1 von Infineon und IAUZ30N06S5L140ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 ✓ Aktiv
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IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD090N03LGATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,34 $0,96
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 40 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at 100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Id] —
Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 42 W —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A 9 mOhm (typical) —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] 12.2 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] 888 pF @ VDS=30 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant —
Technology Family OptiMOS 30V OptiMOS 5
Configuration Single —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 30 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 33 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 14 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V (typ)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Automotive Grade — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage Max — ±20 V
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant)

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