IPD090N03LGATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD090N03LGATMA1 por Infineon e IAUZ30N06S5L140ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD090N03LGATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,34 $0,96
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 40 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at 100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Id] —
Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 42 W —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A 9 mOhm (typical) —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] 12.2 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] 888 pF @ VDS=30 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) —
Status RoHS Compliant —
Technology Family OptiMOS 30V OptiMOS 5
Configuration Single —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 30 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 33 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 14 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V (typ)
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Automotive Grade — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage Max — ±20 V
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

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