IPD090N03LGATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD090N03LGATMA1 par Infineon et IAUZ30N06S5L140ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD090N03LGATMA1 | IAUZ30N06S5L140ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,34 | $0,96 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at 100C] | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed Id] | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 42 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A | 9 mOhm (typical) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | 12.2 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | 888 pF @ VDS=30 V |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Technology Family | OptiMOS 30V | OptiMOS 5 |
| Configuration | Single | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 30 A (Tj) |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 33 W |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | — | 14 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.2 V (typ) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Automotive Grade | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage Max | — | ±20 V |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (RoHS compliant) |