IPD22N08S2L50ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD22N08S2L50ATMA1 von Infineon und IPD50N06S409ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD22N08S2L50ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,39 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS —
Transistortyp N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 75 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 23 mOhm (typical) —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (Green Package) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Pin-Anzahl — 3 (2 + Tab)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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