IPD22N08S2L50ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD22N08S2L50ATMA1 por Infineon e IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD22N08S2L50ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 75 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 23 mOhm (typical) —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (Green Package) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Contagem de pinos — 3 (2 + Tab)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação