IPD22N08S2L50ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD22N08S2L50ATMA1 par Infineon et IPD50N06S409ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD22N08S2L50ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS —
Type de transistor N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 75 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 23 mOhm (typical) —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (Green Package) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fiches techniques et ressources

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