IPD22N08S2L50ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD22N08S2L50ATMA1 por Infineon y IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD22N08S2L50ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 75 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 23 mOhm (typical) —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (Green Package) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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