IPD33CN10NGATMA1 vs IPD90N06S407ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD33CN10NGATMA1 von Infineon und IPD90N06S407ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD33CN10NGATMA1 IPD90N06S407ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,84
FET Type N-Channel N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TO252-3-11 (DPAK)
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D at T_C) — 90 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A — 6.9 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 4 V at 40 uA
Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V — 56 nC
Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) — 79 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Product)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested

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