IPD33CN10NGATMA1 vs IPD90N06S407ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD33CN10NGATMA1 제조: Infineon 및 IPD90N06S407ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD33CN10NGATMA1 | IPD90N06S407ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.32 | $0.84 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 58 W | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | — |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D at T_C) | — | 90 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A | — | 6.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 4 V at 40 uA |
| Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V | — | 56 nC |
| Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) | — | 79 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +175 C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Product) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |