IPD33CN10NGATMA1 vs IPD90N06S407ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD33CN10NGATMA1 por Infineon e IPD90N06S407ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD33CN10NGATMA1 IPD90N06S407ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,84
FET Type N-Channel N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TO252-3-11 (DPAK)
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D at T_C) — 90 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A — 6.9 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 4 V at 40 uA
Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V — 56 nC
Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) — 79 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Product)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested

Fichas técnicas e recursos

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