IPD33CN10NGATMA1 vs IPD90N06S407ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD33CN10NGATMA1 par Infineon et IPD90N06S407ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD33CN10NGATMA1 IPD90N06S407ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,84
FET Type N-Channel N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TO252-3-11 (DPAK)
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D at T_C) — 90 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A — 6.9 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 4 V at 40 uA
Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V — 56 nC
Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) — 79 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Product)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested

Fiches techniques et ressources

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