IPD35N10S3L26ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD35N10S3L26ATMA1 von Infineon und IPD35N10S3L26ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,81 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD35N10S3L26ATMA1 —
Technology OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS-T)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 35 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 26 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C 71 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +175°C —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL1 (up to 260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Green product (halogen-free) —
Typical Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] —
Product Family — OptiMOS-T
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 35 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 24 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 71 W
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range]
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Pin-Anzahl — 3 (Drain, Source, Gate + tab)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern