IPD35N10S3L26ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD35N10S3L26ATMA1 par Infineon et IPD35N10S3L26ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,81 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD35N10S3L26ATMA1 —
Technology OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS-T)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 35 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 26 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C 71 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Green product (halogen-free) —
Typical Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] —
Product Family — OptiMOS-T
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 35 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 24 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 71 W
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Nombre de broches — 3 (Drain, Source, Gate + tab)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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