IPD35N10S3L26ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD35N10S3L26ATMA1 por Infineon e IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,81 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD35N10S3L26ATMA1 —
Technology OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS-T)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 35 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 26 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C 71 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Green product (halogen-free) —
Typical Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] —
Product Family — OptiMOS-T
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 35 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 24 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 71 W
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Contagem de pinos — 3 (Drain, Source, Gate + tab)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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