IPD35N10S3L26ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD35N10S3L26ATMA1 por Infineon y IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,81 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD35N10S3L26ATMA1 —
Technology OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS-T)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 35 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 26 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C 71 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +175°C —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Green product (halogen-free) —
Typical Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] —
Product Family — OptiMOS-T
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 35 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 24 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 71 W
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Recuento de pines — 3 (Drain, Source, Gate + tab)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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