IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD35N10S3L26ATMA2 von Infineon und IPD30N10S3L34ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD35N10S3L26ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T2
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Pin-Anzahl 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

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