IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon e IPD30N10S3L34ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD35N10S3L26ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T2
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Contagem de pinos 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Fichas técnicas e recursos

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