IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD35N10S3L26ATMA2 제조: Infineon 및 IPD30N10S3L34ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.05 | $0.38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | OptiMOS-T2 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| 패키지 | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) |
| 핀 수 | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 57 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 31 mΩ @ VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | 23 nC |
| 동작 접합 온도 | — | -55°C to +175°C |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |