IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon y IPD30N10S3L34ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD35N10S3L26ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T2
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Recuento de pines 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +175°C
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

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