IPD50N04S408ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD50N04S408ATMA1 von Infineon und IPD5N25S3430ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD50N04S408ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,69 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
MSL-Level MSL1 (260 °C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS (planar-trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 20 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
RoHS-Status — ROHS3 Compliant
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
Configuration — Single, 3-pin (2+Tab)

Datenblätter & Ressourcen

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