IPD50N04S408ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N04S408ATMA1 par Infineon et IPD5N25S3430ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50N04S408ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,69 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Niveau MSL MSL1 (260 °C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS (planar-trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 20 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Statut RoHS — ROHS3 Compliant
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
Configuration — Single, 3-pin (2+Tab)

Fiches techniques et ressources

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