IPD50N04S408ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N04S408ATMA1 por Infineon y IPD5N25S3430ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N04S408ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Nivel MSL MSL1 (260 °C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS (planar-trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 20 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Estado RoHS — ROHS3 Compliant
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
Configuration — Single, 3-pin (2+Tab)

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