IPD50N04S408ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD50N04S408ATMA1 제조: Infineon 및 IPD5N25S3430ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD50N04S408ATMA1 | IPD5N25S3430ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.69 | $0.39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (V DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | 50 A | — |
| Power Dissipation (P D, Tc) | 46 W | — |
| 패키지 | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C | — |
| MSL 레벨 | MSL1 (260 °C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche tested | — |
| Green Package (RoHS) | RoHS compliant | — |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] | — |
| On-State Resistance (R DS(on)) | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] | — |
| Total Gate Charge (Q G) | [DATA_NEEDED: Q G typical] | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS (planar-trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 20 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 430 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V typ / 4 V max |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 422 pF typical |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 41 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS 상태 | — | ROHS3 Compliant |
| Lead Finish | — | Matte Tin (lead-free) |
| Configuration | — | Single, 3-pin (2+Tab) |