IPD50N06S409ATMA2 vs IPB081N06L3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD50N06S409ATMA2 von Infineon und IPB081N06L3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD50N06S409ATMA2 IPB081N06L3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $0,95
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 8.1 mOhm typical
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C (junction)
Anzahl der Pins — 3
Pin Configuration — Gate / Drain / Source (D2PAK standard)
MSL-Level — 1 (unlimited)

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