IPD50N06S409ATMA2 vs IPB081N06L3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon e IPB081N06L3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N06S409ATMA2 IPB081N06L3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,95
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 8.1 mOhm typical
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (junction)
Número de pinos — 3
Pin Configuration — Gate / Drain / Source (D2PAK standard)
Nível MSL — 1 (unlimited)

Fichas técnicas e recursos

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