IPD50N06S409ATMA2 vs IPB081N06L3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N06S409ATMA2 par Infineon et IPB081N06L3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50N06S409ATMA2 IPB081N06L3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,95
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 8.1 mOhm typical
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C (junction)
Nombre de broches — 3
Pin Configuration — Gate / Drain / Source (D2PAK standard)
Niveau MSL — 1 (unlimited)

Fiches techniques et ressources

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