IPD50N06S409ATMA2 vs IPB081N06L3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon y IPB081N06L3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N06S409ATMA2 IPB081N06L3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,95
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 8.1 mOhm typical
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (junction)
Número de pines — 3
Pin Configuration — Gate / Drain / Source (D2PAK standard)
Nivel MSL — 1 (unlimited)

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