IPD50N06S409ATMA2 vs IPD22N08S2L50ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD50N06S409ATMA2 von Infineon und IPD22N08S2L50ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD50N06S409ATMA2 IPD22N08S2L50ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $0,39
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Qualified
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS
Transistortyp — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 75 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 23 mOhm (typical)
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
MSL-Level — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)

Datenblätter & Ressourcen

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