IPD50N06S409ATMA2 vs IPD22N08S2L50ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD50N06S409ATMA2 メーカー: Infineon および IPD22N08S2L50ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ 生産中
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IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 - 75V 27A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPD22N08S2L50ATMA1 - 75V 27A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPD22N08S2L50ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD50N06S409ATMA2 IPD22N08S2L50ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $0.39
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
ピン数 3 (2 + Tab) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Qualified
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 75 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 23 mOhm (typical)
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
MSLレベル — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)

データシート&リソース

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