IPD50N06S409ATMA2 vs IPD22N08S2L50ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon e IPD22N08S2L50ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N06S409ATMA2 IPD22N08S2L50ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,39
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Qualified
Status RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 75 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 23 mOhm (typical)
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
Nível MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)

Fichas técnicas e recursos

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