IPD50N06S409ATMA2 vs IPD22N08S2L50ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon y IPD22N08S2L50ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N06S409ATMA2 IPD22N08S2L50ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,39
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Qualified
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 75 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 23 mOhm (typical)
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
Nivel MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)

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