IPD50N06S409ATMA2 vs IPD22N08S2L50ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N06S409ATMA2 par Infineon et IPD22N08S2L50ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50N06S409ATMA2 IPD22N08S2L50ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,39
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] Logic-Level (typ. 1.7-2.5 V)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Qualified
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS
Type de transistor — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 75 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 23 mOhm (typical)
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V and VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
Niveau MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)

Fiches techniques et ressources

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