IPD5N25S3430ATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD5N25S3430ATMA1 von Infineon und BSC155N06NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD5N25S3430ATMA1 BSC155N06NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,39 $0,62
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (planar-trench) OptiMOS 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 20 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V 430 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V typ / 4 V max —
Input Capacitance (Ciss) 422 pF typical —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 41 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status ROHS3 Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration Single, 3-pin (2+Tab) Dual N-channel MOSFET array
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

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