IPD5N25S3430ATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD5N25S3430ATMA1 メーカー: Infineon および BSC155N06NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD5N25S3430ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD5N25S3430ATMA1 ✓ 生産中
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BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 - Dual 60V 20A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC155N06NDATMA1 - Dual 60V 20A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC155N06NDATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD5N25S3430ATMA1 BSC155N06NDATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.39 $0.62
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (planar-trench) OptiMOS 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 20 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V 430 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V typ / 4 V max —
Input Capacitance (Ciss) 422 pF typical —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 41 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS ステータス ROHS3 Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration Single, 3-pin (2+Tab) Dual N-channel MOSFET array
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
動作温度範囲 — -55 C to +175 C
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

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