IPD5N25S3430ATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD5N25S3430ATMA1 por Infineon y BSC155N06NDATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD5N25S3430ATMA1 BSC155N06NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,62
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (planar-trench) OptiMOS 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 20 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V 430 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V typ / 4 V max —
Input Capacitance (Ciss) 422 pF typical —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 41 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Estado RoHS ROHS3 Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration Single, 3-pin (2+Tab) Dual N-channel MOSFET array
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización