IPD5N25S3430ATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD5N25S3430ATMA1 por Infineon e BSC155N06NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD5N25S3430ATMA1 BSC155N06NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,62
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (planar-trench) OptiMOS 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 20 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V 430 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V typ / 4 V max —
Input Capacitance (Ciss) 422 pF typical —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 41 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS ROHS3 Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration Single, 3-pin (2+Tab) Dual N-channel MOSFET array
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

Fichas técnicas e recursos

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