IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R600C6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD600N25N3GATMA1 von Infineon und IPD60R600C6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD600N25N3GATMA1 IPD60R600C6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Schwellenspannung [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Montageart Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET CoolMOS C6 (Superjunction)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Halogenfrei Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Series — CoolMOS C6
Part Suffix — ATMA1 (Tape & Reel)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 7.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 600 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C — 63 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C
Anzahl der Pins — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — 1

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