IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R600C6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD600N25N3GATMA1 por Infineon e IPD60R600C6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD600N25N3GATMA1 IPD60R600C6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,84 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
Tensão de limiar de gate [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET CoolMOS C6 (Superjunction)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Livre de halogênio Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Series — CoolMOS C6
Part Suffix — ATMA1 (Tape & Reel)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 7.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 600 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C — 63 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C
Número de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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