IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R600C6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD600N25N3GATMA1 par Infineon et IPD60R600C6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD600N25N3GATMA1 IPD60R600C6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
Tension de seuil de grille [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET CoolMOS C6 (Superjunction)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Sans halogène Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Series — CoolMOS C6
Part Suffix — ATMA1 (Tape & Reel)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 7.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 600 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C — 63 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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