IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R600C6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD600N25N3GATMA1 por Infineon y IPD60R600C6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD600N25N3GATMA1 IPD60R600C6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,84 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
Tensión umbral de puerta [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET CoolMOS C6 (Superjunction)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Sin halógenos Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Series — CoolMOS C6
Part Suffix — ATMA1 (Tape & Reel)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 7.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 600 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C — 63 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
Número de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — 1

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