IPD600N25N3GATMA1 vs IPP600N25N3GXKSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD600N25N3GATMA1 von Infineon und IPP600N25N3GXKSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD600N25N3GATMA1 IPP600N25N3GXKSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Schwellenspannung [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount —
Montageart Surface Mount (Tape & Reel) Through Hole
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Halogenfrei Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gehäuse / Bauform — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (junction)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)

Datenblätter & Ressourcen

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