IPD600N25N3GATMA1 vs IPP600N25N3GXKSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD600N25N3GATMA1 제조: Infineon 및 IPP600N25N3GXKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD600N25N3GATMA1 | IPP600N25N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.84 | $1.62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 3 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 25 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 60 mOhm at VGS = 10 V | — |
| 게이트 임계 전압 | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (Tape & Reel) | Through Hole |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 25 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 60 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| 패키지 / 케이스 | — | TO-220-3 (PG-TO220-3-1) |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +175C (junction) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Reverse Recovery Time (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr typical value] |
| Lead Free Status | — | Lead Free / RoHS Compliant |
| 핀 수 | — | 3 (Gate, Drain, Source) |