IPD600N25N3GATMA1 vs IPP600N25N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD600N25N3GATMA1 par Infineon et IPP600N25N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD600N25N3GATMA1 IPP600N25N3GXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
Tension de seuil de grille [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount —
Type de montage Surface Mount (Tape & Reel) Through Hole
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Sans halogène Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Boîtier / Format — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)

Fiches techniques et ressources

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