IPD600N25N3GATMA1 vs IPP600N25N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD600N25N3GATMA1 por Infineon e IPP600N25N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD600N25N3GATMA1 IPP600N25N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,84 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
Tensão de limiar de gate [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount —
Tipo de montagem Surface Mount (Tape & Reel) Through Hole
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Livre de halogênio Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Encapsulamento / Caixa — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação