IPD80R280P7ATMA1 vs IRF1310NSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD80R280P7ATMA1 von Infineon und IRF1310NSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD80R280P7ATMA1 IRF1310NSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS P7) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) D2PAK (TO-263AB)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

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