IPD80R280P7ATMA1 vs IRF1310NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD80R280P7ATMA1 por Infineon e IRF1310NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD80R280P7ATMA1 IRF1310NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS P7) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) D2PAK (TO-263AB)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

Fichas técnicas e recursos

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